产品概述
TC-Wafer 晶圆测温系统采用自主研发的核心技术，将耐高温的热电偶传感器嵌入晶圆表面，实时监控和记录晶圆在制造过程中温度变化数据，为关键工艺参数检测、分析与持续优化提供可靠数据支撑。
系统能够承受1000℃的高温测量，适配各类极端热工艺场景；依托多点位布局方案，可精准采集晶圆不同位置温度信息，输出完整晶圆温度分布图，快速识别晶圆加热、冷却不均等工艺隐患。设备具备优异的瞬态温度跟踪能力，能够捕捉升温、降温、恒温阶段的温度动态与时序延迟等关键信息。
产品可兼容 2 英寸至 12 英寸多种规格晶圆，广泛应用于 PVD、ALD、CVD、退火炉、去胶设备、加热板、加热盘等半导体工艺设备。助力企业稳定制程、提升生产效率与芯片良率，是半导体热工艺标定、工艺调试的核心测试工具。
产品参数
产品优势
耐高温
热电偶测温范围为室温-1000℃，适用于监控在极端条件下进行的半导体制造过程。
实时性
可实时提供晶圆上特定位置的准确温度数据。
可视性
通过在晶圆上布置多个点来收集温度数据，能够提供整个晶圆的温度分布情况，帮助识别不均加热或冷却的问题。
快速性
能够捕捉快速变化的温度动态，如升温降温、恒温过程以及延迟时间等关键参数的变化。
工艺可控
持续监控晶圆在热处理过程中的温度变化有助于调整工艺参数，提高生产效率并确保产品质量。
应用场景
薄膜沉积工艺监控
实测晶圆表面温度分布，校准腔体温控，稳定薄膜厚度、应力与成膜均匀性。
半导体加工领域
适配半导体全流程热处理工序，跟随晶圆同步进入各类工艺腔体，获取晶圆真实受热数据。支撑设备温控校准、新工艺窗口开发、量产工艺稳定性管控与良率失效复盘，为半导体制造全链条工艺参数优化提供可靠测温依据。
热处理工艺优化
检测高温工序全域热均匀性，优化退火、键合温度曲线，减少翘曲、气泡等工艺缺陷。
光刻与蚀刻工艺
光刻：标定涂胶显影设备烘盘真实温度，控制光刻胶挥发速率，稳定 CD 线宽均匀性，降低图形畸变、显影缺陷；干法刻蚀/等离子去胶：监测等离子环境下晶圆动态温升，调控刻蚀速率、侧壁形貌与选择比，规避残胶、刻蚀不均等问题。